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Dem enormen Preisdruck bei den Wechselrichtern begegnen die Hersteller mit immer neuen Konzepten und Innovationen. Nach Transistoren aus Silizium und Siliziumkarbid steht schon die nächste Generation von Leistungshalbleitern bereit: Galliumnitrid. Damit lässt sich die Effizienz der Geräte weiter nach oben treiben. Ein Experte ist Joachim Würfl. Er leitet den Geschäftsbereich Galliumnitrid am Berliner Ferdinand-Braun-Institut, Leibniz-Institut für Höchstfrequenztechnik.
Partner aus der Solarindustrie
Am Institut werden unter anderem schnell schaltende Bauelemente für Leistungselektronik, Lasertechnik und Mobilfunktechnik entwickelt. Würfl erläutert, welche Vorteile die neuen Bauelemente bieten. „Seit Sommer 2014 läuft ein neues Projekt“ verrät er. „Dort entwickeln wir Bauelemente der nächsten Generation, unter anderem mit Partnern der Solarindustrie.“ Hier gehe es speziell um Hochspannungstransistoren jenseits von 600 Volt.